近年香港積極發展第三代半導體，也就是所謂功率半導體，功率半導體之中以碳化矽 (SiC)最為重要，原因是SiC是高效能、寬能隙（WBG）材料，具有高耐壓、耐高溫、低開關損耗與高功率密度特性。 相比傳統 …
